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万向注册和万向注册夹的具体供电路的被保护电路的相同。然而,过压保护是参考的万向注册和万向注册夹供应所有的信号输入端子的电压,电源电压的改为套房下保护电路的需求。 电压范围可能范围从4.5V的电源水平绝对最大额定值的SP720。下级电压是可能的,但与一些退化的开关名义上是2ns的速度。此外,输入电容这是名义上3pF的,可以预计将增加。
有没有斜面静态电流比反向其他二极管结电流名义上在低于50nA的工作温度。在耐温情况下,万向注册夹取决于铜片的厚度,这可能是低几毫微安。万向注册夹的厚度可以预期温度接近环境将它应用到使用的物理位置。保护级别的对于给定的电压或功率水平,有一个需要相适应的保护。对于SP720,以打击在过电压保护电路设计峰值电流的范围,将大大改善生存平均单片硅电路用于输入预期小信号和数字处理应用。在自身内部,应该预料到生存的峰值电流和电压浪涌在数据内的最高收视率负债表。对于电压,静态直流和工期短的瞬态能力本质上是相同的。过程能力一般优于45V,允许的最大连续直流供应评级保守的额定功率为35V。
目前任何一个可控硅部分能力的额定电流为2A的峰值,但芯片上的瞬态加热效果的持续时间有限。,可控硅的阻力,当它锁存,约0.96 和SCR锁存阈值有1.08V的偏移。对于EOS,峰值功耗可计算公式如下而2A通过3000V是,这不是一个防静电电压非常高的水平,它代表EOS的能力,提供了6W的持续时间功耗是有限的几毫秒。耗散16脚DIP和16引脚SOIC封装通常少超过1W稳态条件。热容量该芯片将允许多次排放水平高于本,因为静电放电通常有一个持续时间要短得多。
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